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永磁铁室温探针台霍尔测试系统HSPM-05PS

永磁铁室温探针台霍尔测试系统HSPM-05PS

HSPM-05PS室温探针霍尔测试系统为8英寸待测样品、器件提供了一个垂直磁场环境。采用多孔分区控制气体吸附固定,能自动控制永磁铁的前后运动和N.S极翻转,并且能精准定位,磁场大小0.5T 。

永磁铁室温探针台霍尔测试系统HSPM-05PS产品概述

HSPM-05PS室温探针台霍尔测试系统可以为精密微小(纳米级)的微电子器件提供一个固定磁场的测试环境,通过显微镜将被测样品放大,用高精度微探针进行扎针,外部连接霍尔测量仪可进行霍尔测试和分析。 

HSPM-05PS室温探针霍尔测试系统为8英寸待测样品、器件提供了一个垂直磁场环境。外部连接其他电测仪表可在室温下对芯片、晶圆和器件进行非破坏电学测试,比如不同磁场下电流、电压、电阻等电学信号等。


系统特点:

•稳定的双位移调节系统,可以调节样品座和探针臂的位移 
•样品座可以放置8英寸的晶圆样品,采用多孔分区控制气体吸附固定。 
•能自动控制永磁铁的前后运动和N.S极翻转,并且能精准定位,磁场大小0.5T 
•可安装6个探针臂 
•探针臂采用磁铁吸附,可任意移动,并且可以三维微调操作方便,扎针精准,四个探针臂的探针可以扎到样品的任意位置。 
•探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头,漏电流小,在100fA以内 
•CCD放大倍数为180倍,工作距离为100mm


测试材料:

• 热电材料:碲化铋、碲化铅、硅锗合金等
• 光伏材料/太阳能电池:(A硅(单晶硅、非晶硅)、CIGS(铜铟镓硒)、碲化镉、钙钛矿等)
• 有机材料:(OFET、OLED)
• 透明导电金属氧化物TCO:(ITO、AZO、ZnO、IGZO(铟镓锌氧化物)等)
• 半导体材料:SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二维材料:石墨烯、BN、MoS2等



永磁铁室温探针台霍尔测试系统HSPM-05PS技术参数

参数和指标:

标准电阻范围
10mΩ-100GΩ
迁移率
10-2-106cm2/VS
载流子浓度
8x102-8x1023/cm3
霍尔电压
分辨率为 1μV
电压激励范围
100nV ~ 10V
电流激励范围
10pA ~ 100mA
测试方法
范德堡或霍尔巴
样品尺寸
200mm
样品接触方式
三维精细位移探针臂扎针,最小满足 3μm电极扎针
样品温度
室温
样品环境
大气,可选氮气氛围
磁场
0.5T
磁场调节方式
电动位移及翻转
磁铁间隙
30mm
磁场均匀区
10mm*10mm*10mm优于5%

可选配件