霍尔效应 Hall Effect

　　电流垂直于外磁场方向通过导体时，在同时垂直于电流和磁场方向上，导体两侧出现电势差的现象。它是1879年E.H.霍尔发现的。如果通过导体的电流密度为J，外磁场在导体中引起的磁感应强度为B，霍尔电势差VH相应的霍尔电场为EH，则有：

　　EH=RHJxB

　　式中比例系数RH称为霍尔系数，是导体材料的特征量。

　　对于金属，设沿x方向的电流密度Jx=-nevx，磁感应强度B沿z方向，速度为-vx的电子在磁场中受到的洛伦兹力Fy沿+y方向，即Fy=+evxBz。这样在导体的-y端积累负电荷，+y端有正电荷，产生霍尔电场EH，它作用于电子上的力为-eEH。两力平衡时电荷积累过程停止，满足-eEH+ evxBz=0，即：EH=vxBz=-1/ne（JxBz）

　　得霍尔系数：

　　RH=-1/ne

　　所以测量金属的霍尔效应可得到金属中传导电子的密度n。有些金属RH为正，这是空穴参与导电的结果。

　　对于N型的半导体，其霍尔系数RH=-1/ne。如果是P型半导体，由于空穴带正电荷，电流沿x方向，则电流密度Jx=ρevρ为空穴密度，其霍尔系数为RH=1/ρe。测量半导体的霍尔效应可判别材料的导电粒子的类型和密度。