上海懿宏科学仪器有限公司

高斯计

探针台、控温仪、传感器、氦质谱检漏仪

您当前的位置:网站首页 > 产品中心 > 综合磁性低温测量系统 > 霍尔效应测量系统(HEMS)

8425霍尔效应及低温探针台集成系统

●      在真空探针台下进行完整的霍尔效应测试的系统

●      支持一系列直流条件下霍尔效应测试

●      最大磁场2T,电阻范围0.5mΩ-100GΩ

●      变温范围10k-400k,采用闭循环制冷机制冷,不需要消耗制冷剂

●      包含8400软件,可以做简单的系统操作、数据采集和分析

●      支持多载流子分析数据导出



晶片级材料在严格控制的低温环境下的无损霍尔测量

先进材料的研究

具备Lake shore最先进霍尔测量能力的8425是应用物理、电气工程、材料研究、产品研发与运用的理想工具,它可以测量新材料的电子和磁运输特性,包括:

太阳能电池                                OPVs, a:Si, μc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)

有机电子                                    OTFTs, Penactene, Chalcogenides,OLEDs

Ⅲ-Ⅴ族半导体                           InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, 基于AIN的设备,HEMTs, 异质结双极晶体管

Ⅱ-Ⅳ族半导体                           CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe

元素半导体                                 Ge, SOI, SiC, HBTs and FETs

高温超导体


直接或间接测量的磁场和温度函数

霍尔电压

Ⅳ曲线的测量

电阻

磁阻

磁传输

霍尔系数

霍尔迁移率

反常霍尔效应

载流子类型/浓度/密度


霍尔效应测量参数
   迁移率1到1×106cm2/Vs
   载流子浓度8×102到8×1023cm-3
   电阻率1×10-5到1×105Ω-cm
   标准电阻范围
读数的±0.5%,量程的±0.5%

范德堡/霍尔棒法最小电阻:0.5MΩ

最大10MΩ

读数的±0.075%,量程的±0.05%最大5MΩ
   高阻选件电阻范围
读数的±0.25%

范德堡/霍尔棒法最小电阻:10kΩ

最大50GΩ

读数的±1.5%最大100GΩ
样品环境
   冷源带二级冷头的CCR,4.2K时制冷功率1W
   样品温度10K到400K
   样品尺寸

最大51mm,带SH-2.00-I(已安装的绝缘样品座)

磁场
   磁铁类型超导磁体
   磁场方向垂直(垂直于样品平面)
   磁场大小±2 T(霍尔测量)
   场均匀性

10毫米直径区域的0.5%,25毫米直径区域的1.0%

   已降落针尖移动距离< 5μm
测量
   探针台尺寸

宽800mm×深670mm

不包含仪器控制柜和压缩

   控制柜尺寸宽766mm×深754mm
   CCR压缩机尺寸宽434mm×深483mm
用电要求
   单相电压100/120/220/240 VAC (+5%,-10%),50/60 Hz
   单相功率推荐3.3 kVA
   三相电压(CCR)

200 VAC (50/60 Hz) or 380/400/415 VAC

50 Hz or480 VAC 60 Hz

   三相功率(CCR)6.6 to 6.9 kW at 50 Hz/7.5 to 7.8 kW at 60 Hz
冷却水电源
   损耗(CCR)

50Hz下最大8.5kW;稳定状态为6.9kW

60Hz下最大9.0kW;稳定状态为7.8kW

*探针接触电阻会随样品变化